DRMOS 與 VRM 視覺圖，呈現 DRMOS 內部組成、多相供電與 GPU 板端電源路徑。

Lesson 4 of 5 · Power Semiconductors

DRMOS 與 VRM 深度解析 DRMOS & VRM Deep Dive

為什麼茂達是這條 thesis 裡最早出現營收訊號的台股？GPU 功耗每增加一倍，它賣出去的元件數量會發生什麼事？
Why did 茂達 show revenue signals first? What happens to its unit count every time GPU power consumption doubles?

茂達（6138）是這整條 thesis 裡最具體的台廠早期訊號——Q4 2025 YoY +27.7%，比任何「IDM 轉單」的故事都早。要理解為什麼，需要搞清楚 VRM 和 DRMOS 的機制：GPU 功耗增加，不只是用電多——它強迫整個板端電源架構擴張，而茂達的每一個擴張節點都在收費。

一、GPU 功耗的爆炸性增長

The GPU power consumption trajectory — the demand driver for everything in this lesson

以下是同一廠商 NVIDIA 的 AI GPU 功耗進程：

H100 (2022)

700W

基準線

B200 (2025)

1,200W

+71%

Rubin (2026+)

>1,500W 目標

+114%+ vs H100

這個功耗增長不只是讓電費變貴。它讓 GPU 板上的電源系統必須做根本性的升級——因為你不能只是把現有電路「放大」，電流太大、電感太重、散熱做不到。解法是增加電源相數（power phases）。

二、什麼是電源相數？為什麼它是關鍵？

Power phases — the mechanism that multiplies DRMOS unit count per board

把 VRM（電壓調節模組）想成一個把 12V 或 48V 降成 1V 給 GPU 的轉換器。問題是：GPU 需要的電流極大（B200 單卡超過 1000A），一個轉換器根本扛不住。

解法是把多個小轉換器並聯，分擔電流——這就叫「多相（multiphase）」。每一「相」就是一組 Gate Driver + MOSFET 的組合，通常封裝成一顆 DRMOS。

H100 世代（舊）

8–12

電源相數 / power phases per GPU

→ 8–12 顆 DRMOS
→ 8–12 顆電感
→ Gate Driver 整合在 DRMOS 內

Rubin 世代（新）

20–32+

電源相數 / power phases per GPU

→ 20–32+ 顆 DRMOS
→ 電感數量同步倍增
→ 每顆 DRMOS 單價也在提升

從 8 相到 24 相，茂達賣出去的 DRMOS 數量直接乘以 3——即使同一台伺服器、同一個客戶、什麼新客戶都沒有。這就是為什麼茂達的成長不需要等 IDM 轉單，也不需要等 800V HVDC 大規模普及，只要 GPU 繼續耗電，它就持續受益。

三、DRMOS 的解剖：為什麼它能收比較高的價格

What's inside a DRMOS and why it commands higher ASP than a standalone MOSFET

DRMOS 不是一顆普通的 MOSFET。它把兩種元件整合在同一個封裝裡：

類型 B / Type B
Gate Driver IC
有邏輯，控制何時開關
Logic inside; decides when to switch

類型 A / Type A

低壓 MOSFET

無邏輯，執行開關動作
No logic; just switches on command

→

合封 / Integrated

DRMOS

一顆頂兩顆，更緊湊、更省電、更貴
One package does both; smaller, more efficient, higher ASP

這個整合的商業意義：

客戶（GPU ODM/OEM）在板上省掉一顆獨立的 Gate Driver 空間，布線更簡單
DRMOS 的設計導入週期 6–18 個月（類型 B 特性），客戶不輕易換供應商
ASP 明顯高於純 MOSFET——大約是同電流規格純 MOSFET 的 2–3 倍
茂達有 DRMOS + Gate Driver 雙產品線，是台廠裡唯一有這個完整 VRM 控制組合的公司

四、茂達 vs 富鼎：相鄰但不同

茂達 (6138) vs 富鼎 (8261) — adjacent positions with different investment characteristics

TPEX:6138 · 茂達 ANPEC

控制端 Control Side

主要產品：Gate Driver、DRMOS、PMIC、DC-DC Controller

在 VRM 裡的角色：「大腦」——決定 MOSFET 什麼時候動

毛利率：偏高（約 40–50%），因為整合了邏輯設計

投資邏輯：電源相數增加 → 每塊板子 DRMOS 顆數直接增加；Rubin 世代相數約為 H100 的 2–3 倍

Q4 2025 訊號：YoY +27.7%，thesis 裡最早的台廠財務驗證

TWSE:8261 · 富鼎 APM

執行端 Execution Side

主要產品：低壓 MOSFET、Super Junction MOSFET、IGBT、Power IC

在 VRM 裡的角色：「手腳」——茂達 Gate Driver 驅動的那顆 MOSFET

毛利率：中等（約 30–40%），純離散元件較多

投資邏輯：茂達 DRMOS 裡已整合 MOSFET，但外置低壓 MOSFET 仍有市場；AI server VRM 用量增加

注意：茂達 DRMOS 的競爭對手是整合型 DRMOS 廠，不是富鼎——兩者互補而非競爭

一句話記住兩者的關係

茂達 = 有大腦的那顆（Gate Driver 整合在內），富鼎 = 被大腦控制的那顆（純 MOSFET 執行）。在同一條 VRM 電路上，它們各自受惠，但受惠深度不同——茂達的 DRMOS 設計導入護城河更深，定價能力更強。
茂達 = the brain (Gate Driver integrated inside). 富鼎 = what the brain controls (pure MOSFET). Same VRM circuit, different moats. 茂達's design-in lock-in and ASP advantage is deeper.

五、茂達 Q4 2025 +27.7% 的意義

Why this single data point is the most important Taiwan revenue signal in the whole thesis

這是截至研究截止日最重要的台股財務訊號，原因如下：

時間領先：比 IDM 轉單的台廠業績早了至少 2–4 季，說明「板端 VRM 需求」的兌現比「IDM 轉單」快
訊號性質強：不是展示、不是法說表態，是真實 YoY 財務數據
Rubin 前的「試水溫」：B200/GB200 世代已在拉動 DRMOS 需求——Rubin 世代（>1500W）還沒來就已有訊號

關鍵待追蹤問題：Q1 / Q2 2026 是否延續這個加速？如果連續幾季維持 20%+ YoY，代表 DRMOS / Gate Driver 確實進入了 AI server 主流採購鏈。如果 Q1 2026 突然掉回個位數，需要重新評估是否只是一次性拉貨效應。

有問題嗎？Ask your teacher. 電源相數的技術細節、DRMOS 和純 Gate Driver 的區別、或是如何從法說裡確認 Rubin 世代的 VRM 採購進度——都可以問。
Ask about phase count details, DRMOS vs standalone Gate Driver, or how to track Rubin VRM adoption from earnings calls.