onsemi @ Bank of America Conference 2026
關聯課程：L3 · IDM 轉單深度解析
高壓內容從 $5K → $55K，×11 倍。即使市占率不變，只要機櫃規格升級，高壓元件廠的每機櫃收益就×11。這是結構性成長，不是市占率搶奪。
唯一能在單晶片上做到 800V 的解決方案，需要 1,200V 耐壓的 vertical GaN 製程。競品的 lateral GaN 在高壓下會崩潰。差異化護城河最深。
The only single-chip 800V solution. Lateral GaN breaks down at high voltage — vertical GaN doesn't.
電動車先走 800V 平台（保時捷、現代等），讓 onsemi 的 SiC 製程在車用場景練兵完畢。現在直接複製進資料中心機櫃，技術 ready。
EV 800V SiC was the training ground. Data center 800V is the second innings — same technology, new market.
| 觀察 | 投資含義 |
|---|---|
| 機櫃空間比舊金山還貴 寸土寸金，體積小、功率密度高就是優勢 |
高整合度元件（DRMOS、Vertical GaN）有物理尺寸優勢，不只是毛利高。選型時「體積」是加分項。關聯 L4 DRMOS 邏輯。 |
| 高壓 MOSFET Lead Time 持續拉長 多家通路商回報 |
供給缺口確認。Lead time 拉長 = 台廠詢價量上升，比月營收早 1–2 季的先行指標。直接利好：強茂 2481、朋程 8255、杰力 5299、台半 5425。 |
| 下半年比上半年好 車子回正常、工業不錯、AI 很好 |
三個終端市場同步好轉，onsemi 的需求面無壓力。標準品轉出去是純粹的「供給側決策」，不是需求萎縮。 |
| SiC 不只車用，在 AI 也 ready | SiC 的下一個大市場是資料中心，不是只有 EV。台廠在 SiC 周邊（packaging、leadframe）有機會。關聯 L1 功率樹節點。 |
| 高溫高壓材料從 EV 走向資料中心 多家公司提到機櫃尺寸壓力 |
EV 帶動的材料技術（SiC、GaN、高溫 dielectric）現在有第二個市場。供應鏈投資的攤銷效益更好，IDM 繼續轉型的誘因更強。 |
| 股票 | 產品 | 受益機制 | Lead Time 訊號強度 |
|---|---|---|---|
| 強茂 2481 | 整流橋、Schottky、HV MOSFET | IDM 轉出去的直接品項 | 最直接 |
| 朋程 8255 | 整流橋、Superjunction MOSFET | 同上，高壓前段 PSU 入口 | 最直接 |
| 杰力 5299 | Superjunction MOSFET | 超接面 MOSFET lead time 最長品項之一 | 直接 |
| 台半 5425 | 同類離散高壓元件 | 同步受益，訊號節奏類似強茂 | 直接 |